电力电子工程师们一直致力于开发可靠、易于维护、经济高效且紧凑的系统。 在过去十年中，随着碳化硅 (SiC) 大量投放市场，使得这些梦想部分成为现实。SiC 功率模块使构建可靠、高效且紧凑的系统成为可能。 随着时间的推移，SiC 功率模块使整个电源转换系统的成本与基于 IGBT 的解决方案相比更具竞争力。
不久前，利普思向电力电子市场推出了其ED3系列SiC MOSFET功率模块，采用业界公认的知名封装。电力电子工程师在设计他们的下一个项目或寻找更好的替代方案以赋予他们当前的设计更强大的外观时有更广泛的选择。
ED3 系列在熟悉的封装中提供了更高效率，使终端系统更加紧凑和经济实惠。
作为一家专注于 SiC 和 IGBT 功率模块的创新型功率半导体器件制造商，利普思一直在探索新的方法来为合作伙伴提供更先进、更可靠的功率半导体。如何才能让已经高效的 ED3 系列 SiC 功率模块更加高效呢？ 利普思给出了方案。
利普思很高兴推出ED3S系列SiC功率模块，与功率半导体终端客户紧密合作，力争走在市场趋势前端。
ED3S 系列是高性能 SiC MOSFET 功率模块（图 1），采用知名设计的紧凑版本。
图1.ED3S系列SiC功率模块
为了提供更佳性能，ED3S 系列采用获得专利的 Arcbonding™ 技术（图 2）生产，该技术也适用于利普思在汽车牵引逆变器的旗舰 SiC 功率模块 - HPD 系列。
与许多车规级功率半导体制造商使用的传统铝线键合技术不同，Arcbonding™ 专利芯片表面连接技术可确保 SiC 模块的可靠性达到汽车应用要求，同时显著降低寄生电阻和寄生电感。此外，Arcbonding™ 被证明可以显著降低静态损耗、改善功率循环和短时脉冲电流的能力。即使 6-10 个 SiC芯片并联，SiC 功率模块仍能始终如一地工作。
图2. 利普思半导体的专利ArcbondingTM技术
为了生产高可靠的 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模块，利普思采用高级 Si3N4 AMB 基板，该基板结合了更佳的机械稳健性和出色的散热性能，具有极高的功率密度。
ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模块专为各种应用而设计，使用这种新封装可以极大程度地使以下应用受益：
ØxEV
Ø电源转换系统
Ø车载快速充电器
Ø智能电网/并网分布式发电
ED3S系列SiC MOSFET功率模块特点：
Ø1200V/1700V 阻断电压
ØSi3N4 AMB低热阻
Ø结温高达175°C
Ø内部热敏电阻
与 ED3 相比，ED3S 系列的面积小 1/3，其底板紧凑至 62mm x 109mm。标准 ED3 系列及其替代品为 62mm x 152mm（图 3）。
图3 ED3S VS ED3
为了满足客户测试和模拟 SiC MOSFET 模块性能的要求，利普思开发了专为 ED3S 系列设计的演示驱动板（图 4）。
图4. 利普思半导体的ED3S驱动板
目前，利普思的 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模块，采用半桥、H 桥和双升压拓扑（图 5），阻断电压为 1200/1700V，额定电流为 200-800A。
图5. 利普思半导体ED3S产品线
通过不断的技术创新，利普思旨在推动人类走向美好、绿色的未来。 利普思的产品组合包括 ED3S 系列 SiC MOSFET 功率模块，以应对所有挑战，实现碳达峰和碳中和的目标。
